供应SI雪崩光电二极管

SI雪崩光电二极管

    特点：                  
       高速率
       低暗电流
       平面正照结构,进口芯片
     应用：
       测距
       物理化学过程的快速光信号探测
       用于主波取录、YAG 光脉冲测量及光纤通信的光探测
     光电特性(T = 22℃)：

参    数 符号 典型值 测试条件 
光谱响应范围（nm） λ 400~1100 　 
光敏面直径(um) 　 Φ230 Φ500 　 
响应度（A/W） Re 60 900nm 
工作电压（V） vR 120 f=1MHz, 
击穿电压（V） vBR 140 Ir=10uA, 
暗电流（nA） ID 5 　 
总电容（pF） Cj 0.8 f=1MHz 
响应时间（ns） tr 0.7 　 

  note:图片仅供参考,尺寸以实物为准,具体性能指标见每支器件参数